- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長(zhǎng)爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計(jì)
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備
- 實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品配件
- 實(shí)驗(yàn)室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
RTP快速退火爐主要用于完成材料制備過(guò)程中的快速熱處理工藝工作.
RTP快速退火爐主要功能和特點(diǎn):
1、更短的工藝時(shí)間；
2、更快的升、降溫速率；
3、處理基片時(shí)雜質(zhì)運(yùn)動(dòng)zui小；
4、減少顆粒沾污；
5、由于腔體體積不大，氣氛純度容易控制.
RTP快速退火爐應(yīng)用領(lǐng)域：
1、活化離子注入雜質(zhì)，形成超薄結(jié)合。離子注入是半導(dǎo)體制造工藝中非常重要的一道工序，是用來(lái)把改變導(dǎo)電率的攙雜材料注入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)工藝技術(shù)。
2、制作高質(zhì)量的 SiO,膜層。IC 制造對(duì)氧化膜層提出了很高的要求其中zui基本的要求使膜層更薄，采用傳統(tǒng)的技術(shù)即通過(guò)降低氧化反應(yīng)的溫度來(lái)降低氧化速率即會(huì)帶來(lái)另一個(gè)問(wèn)題，生長(zhǎng)溫度的降低會(huì)導(dǎo)致固定電荷和界面密度增加，影響氧化層質(zhì)量。RTP熱氧化工藝可以在合適的高溫下實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的氧化。另一方面，可以利用往腔體內(nèi)通入氬或其它惰性氣體來(lái)稀釋氧氣達(dá)到降低氧化速率的目的。
3、用于金屬硅化物合金形成。RTP快速退火爐被廣泛地用于在器件中制備金屬硅化物。
RTP快速退火爐技術(shù)參數(shù)：
|
產(chǎn)品名稱(chēng) |
RTP快速退火爐【管式】 |
|
產(chǎn)品型號(hào) |
CY-RTP1200-T4-H |
|
有效尺寸 |
Φ100mm |
|
基片尺寸 |
≦4英寸 |
|
升溫速率 |
B型為標(biāo)準(zhǔn)配置：≦200℃/S,供電要求:AC380V/60Hz，功率18KW |
|
降溫速率 |
200℃以上≤25min |
|
控溫模式 |
可預(yù)設(shè)曲線(xiàn)，按流程控溫 |
|
控溫精度 |
±1℃ |
|
工作溫度 |
≦1000℃ |
|
測(cè)溫位置 |
測(cè)溫點(diǎn)置于樣品處 |
|
密封法蘭 |
水冷式 |
|
工作真空 |
10-3Pa～105Pa均可 |
|
可通氣氛 |
可通：氮?dú)猓瑲鍤猓鯕獾确俏ｋU(xiǎn)、非腐蝕氣體 |
|
真空測(cè)量 |
標(biāo)準(zhǔn)配置：電阻規(guī)，量程1Pa～105Pa |
|
選裝配置：復(fù)合真空計(jì)，量程10-5Pa～105Pa |
|
|
真空系統(tǒng) |
標(biāo)準(zhǔn)配置：VRD-4真空泵1臺(tái) |
|
供電要求 |
要求配備32A2P空氣開(kāi)關(guān)，電源電壓AC380V/60Hz |
|
水冷機(jī)組 |
水箱容量9L，zui大揚(yáng)程10m |
|
整機(jī)尺寸 |
1200mm x 610mm x 570mm |
|
包裝尺寸 |
1475*700*800 |
|
包裝重量 |
180Kg |
|
隨機(jī)配件 |
1、說(shuō)明書(shū)1本 |
|
2、隨機(jī)配件1套 |
|
|
3、配件清單1份 |
