- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機(jī)
- 涂布機(jī)
- 等離子清洗機(jī)
- 放電等離子燒結(jié)爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機(jī)
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機(jī)
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結(jié)爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結(jié)爐
- 粉末壓片機(jī)
- 真空手套箱
- 真空熱壓機(jī)
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機(jī)設(shè)備
- UV光固機(jī)
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設(shè)備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
CVD（化學(xué)氣相沉積）氣相沉積系統(tǒng)是一種常用的薄膜制備技術(shù)，通過在高溫下將氣體反應(yīng)物質(zhì)與基底表面反應(yīng)，形成薄膜。
1. 反應(yīng)室溫度：通常在幾百到千度之間，具體取決于所需的反應(yīng)溫度和材料。
2. 反應(yīng)氣體：根據(jù)所需的薄膜材料和結(jié)構(gòu)，可以使用不同的反應(yīng)氣體，如氨氣、氫氣、氧氣、二氧化硅等。
3. 壓力范圍：通常在幾百帕到幾千帕之間，具體取決于反應(yīng)物質(zhì)和反應(yīng)條件。
4. 反應(yīng)時間：根據(jù)所需的薄膜厚度和質(zhì)量，反應(yīng)時間可以從幾分鐘到幾小時不等。
5. 基底材料：CVD系統(tǒng)可以用于各種基底材料，如硅、玻璃、金屬等。
6. 應(yīng)用領(lǐng)域：CVD氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)和工程領(lǐng)域，用于制備各種功能性薄膜，如金屬薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、碳納米管等。它在半導(dǎo)體、光電子、能源、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域都有重要應(yīng)用
技術(shù)參數(shù)：
|
產(chǎn)品名稱 |
雙溫區(qū)CVD化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) |
|
|
產(chǎn)品型號 |
CY-PECVD100-1200-Q |
|
|
頻電源 |
信號頻率 |
13.56MHz±0.005% |
|
功率輸出 |
0~300W |
|
|
*大反射功率 |
100W |
|
|
反射功率 |
<3W (*大功率時) |
|
|
功率穩(wěn)定性 |
±0.1% |
|
|
管式爐 |
管子材質(zhì) |
高純石英 |
|
管子外徑 |
100mm |
|
|
爐膛長度 |
440mm |
|
|
加熱區(qū)長度 |
200mm+200mm (雙溫區(qū)) |
|
|
連續(xù)工作溫度 |
≦1100℃ |
|
|
溫控精度 |
±1℃ |
|
|
溫控模式 |
30段程序控溫 |
|
|
顯示模式 |
LCD觸摸屏 |
|
|
密封方式 |
304 不銹鋼真空法蘭 |
|
|
供氣系統(tǒng) |
通道數(shù) |
6通道 |
|
測量單元 |
質(zhì)量流量計 |
|
|
測量范圍 |
A 通道: 0～200SCCM， 氣體為H2 |
|
|
B 通道: 0～200SCCM，氣體為CH4 |
||
|
C 通道: 0～200SCCM，氣體為 C2H4 |
||
|
D通道: 0～500SCCM，氣體為 N2 |
||
|
E通道: 0～500SCCM，氣體為 NH3 |
||
|
F通道: 0～500SCCM， 氣體為 Ar |
||
|
測量精度 |
±1.5%F.S |
|
|
工作壓差 |
-0.15Mpa~0.15Mpa |
|
|
接頭規(guī)格 |
1/4" 卡套接頭 |
|
|
氣體混合罐 |
1L |
|
|
真空系統(tǒng) |
機(jī)械泵 |
雙極旋片泵 |
|
抽速 |
1.1L/S |
|
|
真空測量 |
電阻規(guī) |
|
|
極限真空 |
0.1Pa |
|
|
抽氣接口 |
KF16 |
|
|
滑軌 |
爐體可以滑動，實現(xiàn)快速降溫 |
|
|
供電電源 |
AC220V 50Hz |
|
